на 2024/11/7 175

Дослідження транзистора NPN MMBT3904

У світі електроніки з низькою потужністю транзистор MMBT3904 світить своєю універсальністю та надійністю.Відомий своїм рейтингом 40 В колектора-ематера (VCE) та здатністю обробляти струми до 200 мА, це вибір як для перемикання, так і для ампліфікації в різних схемах.Від розуміння його основної конфігурації PIN -коду до використання моделей CAD для точного дизайну схеми, інтеграція MMBT3904 пропонує численні переваги.У цій статті досліджуються свої специфікації, особливості та практичні програми, що надає розуміння для підвищення ефективності та ефективності в електронних проектах.Незалежно від споживчих пристроїв чи професійного обладнання, MMBT3904 є ключовим гравцем сучасної електроніки.

Каталог

Огляд транзистора MMBT3904

З MMBT3904 Виділяється як транзистор NPN, визнаний за його сильну ефективність у програмі з низькою потужністю, що викликає ваш інтерес.Він працює з порогом напруги колектора (VCE) 40 вольт і дозволяє максимальний потік струму 200 міліамперів.Ці технічні характеристики добре служать завданням, що вимагають надійного перемикання в межах помірної складності.Його здатність залишатися в упередженому стані, коли основа не сигналізується, оцінюється в ситуаціях, коли підтримка цілісності сигналу представляє унікальну проблему.

Коли вводиться базовий сигнал, MMBT3904 безперешкодно переходить до стану упередженого вперед, посилюючи свою роль як невеликий перемикач сигналу.Цей точний контроль часто шукається в таких схемах, як логічні ворота або реле.Транзистор знаходить практичне застосування в аудіо підсилювачах та схемах обробки сигналів, де його можливості перемикання швидкого перемикання є основними для виняткових показників.Надійність та ефективність MMBT3904 перегукуються з тими, які присвячені ремеслу дизайну електроніки.

Одним із помітних атрибутів транзистора є його низька вимога напруги базового випромінювача, близько 0,6 вольт, що особливо звертається до дизайнерів, що пам’ятають про енергоефективність.Це забезпечує роботу з мінімальними втратами енергії, функцією, яка збагачує ваш досвід на пристроях, що працюють на акумуляторі, продовжуючи час роботи акумулятора.Крім того, низька напруга базового випромінювача сприяє зменшенню генерації тепла, тим самим підвищуючи довговічність пристрою та його навколишніх компонентів.Ви часто можете оцінити ці характеристики, прагнучи до стійких та довготривалих конструкцій схеми.

Конфігурація PIN

Номер PIN -коду	Пінопласт	Опис
1	Випромінювати	Струм витікає через випромінювача
2	Базовий	Контролює упередженість транзистора
3	Колектор	Струм протікає через колектор

Представництво CAD

Символ

Слід

3D -модель

Технічні характеристики

Тип	Параметр
Кріплення	Поверхневе кріплення
Монтажний тип	Поверхневе кріплення
Пакет / кейс	До-236-3, SC-59, SOT-23-3
Кількість шпильок	3
Матеріал транзисторного елемента	Кремнію
Напруга розбиття колектора	40V
Кількість елементів	1
Hfe Min	100
Робоча температура	150 ° C TJ
Упаковка	Стрічка та котушка (TR)
Код JESD-609	E3
Статус частини	Застарілий
Рівень чутливості до вологи (MSL)	1 (необмежений)
Кількість закінчення	3
Код ECCN	Вуха99
Термінальна обробка	Матовий олово (sn)
Напруга - рейтинг постійного струму	40V
Максимальна розсіювання потужності	350 МВт
Термінальна позиція	Подвійний
Термінальна форма	Чайка
Температура піку (° C)	260
Поточний рейтинг	200 мА
Номер базової частини	MMBT
Кількість шпильок	3
Конфігурація елементів	Поодинокий
Розсіювання потужності	350 МВт
Програма транзистора	Перемикання
ГОЛОВНІ ПРОДУКТ	270 МГц
Полярність/тип каналу	NPN
Тип транзистора	NPN
Напруга колекторів (VCEO)	40V
Максимальний струм колекціонера	200 мА
Поточний приріст постійного струму (HFE) (Min) @ IC, VCE	100 @ 10mA, 1V
Насичення vce (max) @ ib, ic	200mv @ 5ma, 50ma
Частота переходу	270 МГц
Максимальна напруга розбиття	40V
Колекторна базова напруга (VCBO)	60 В
Основна напруга випромінювача (VEBO)	6V
Вимкніть час - Макс (Toff)	250ns
Увімкніть час - Макс (тонна)	70ns
Досягнення SVHC	Немає SVHC
Радіаційне твердіння	Ні
Статус ROHS	ROHS3, що відповідає
Вільно	Вільно

Особливості

Означати	Опис
Тип	NPN невеликий сигнал транзистор
Постійний колекторний струм (ІС)	200 мА
Колектор до напруги випромінювача (VCE)	40 В
Випромінювач до базової напруги (VEB)	6 v
Поточний приріст (HFE)	Від 100 до 300
Частота переходу	300 МГц
Тип пакету	SOT23 (SMD)

Механічні характеристики

Пакет

Альтернативи

• BC549

• BC636

• BC639

• 2N2222 TO-92

• 2N2222 до 18

• 2N2369

• 2N3055

• 2N3906

• 2Sc5200

Різноманітне використання транзистора MMBT3904

Транзистор MMBT3904 виявляється зразковим компонентом для портативних пристроїв, з його чудовою ємністю діяти як невеликий перемикач навантаження.Цей компонент світить, допомагаючи збереженню енергії та ефективності експлуатації, що використовується для пристроїв, що працюють на батареї.Він не тільки обслуговує портативну технологію, але її застосування поширюється на побутову електроніку, як телевізори та асортифіковані побутові прилади.Його пристосованість до різних вимог напруги з можливістю контролювати напруги до 40 В демонструє свою здатність підвищувати продуктивність пристрою, зберігаючи надійність у різних електричних ситуаціях.

У численних практичних додатках використання цього типу транзистора може значно вдосконалити конструкції схеми, досягаючи рівноваги між компактністю та потужною функціональністю.Зйомка його складних оперативних властивостей може допомогти вам підвищити якість продукції.Більше того, його послідовна продуктивність в споживчій електроніці підкреслює її довговічність та стійку надійність з часом.

Виробник

Виготовлений за допомогою Stmicroelectronics, транзистор MMBT3904 означає відданість бренду до просування меж мікроелектроніки.Як видатна сутність у напівпровідниковому домені, Stmicroelectronics глибоко впливає на промисловість, обдуровану його величезними портфелем інтелектуальної власності та розширеними можливостями системи на чіп (SOC).Ці сильні сторони об'єднуються, щоб позиціонувати компанію як рушійну силу в галузі технологічного прогресу по всьому світу.

Швидко розвивається напівпровідниковий сектор виявляє трансформаційний потенціал, інкапсульований у пропозиціях Stmicroelectronics.Зростання пристроїв IoT та зростаюча потреба в енергоефективних рішеннях створюють шляхи Stmicroelectronics, що спритно орієнтується зі своїми спеціалізованими знаннями та інноваційними підходами.

Stmicroelectronics здійснює зусилля НДДКР не лише для вдосконалення сучасних технологій, а й до піонерських інновацій, що сприяють траєкторії галузі.Завдяки своїм ініціативам компанія постійно досліджує свіжі методології, які сприяють прогресу та надихають нові напрямки в напівпровідниковому ландшафті.

PDF -таблиця

MMBT3904 ДАТЕЛИ:

MMBT3904 DATASHEET.pdf