на 2024/11/3 152

Оволодіння BFW10 30V N-канал JFET

У світі електронних компонентів транзистор JFET BFW10 N-канал виділяється як універсальний пристрій для посилення та комутації сигналу.Цей транзистор, побудований на надійній напівпровідниковій технології, пропонує ефективний контроль потоку струму через його воріт, джерело та зливні термінали, що робить його ідеальним для застосувань, де точність та низький рівень шуму є важливими.Його унікальна конструкція, що нагадує "кран" для потоку електронів, забезпечує точну обробку сигналів, підвищення чіткості звуку, модуляцію сигналу та коливання частоти.З додатками, починаючи від аудіо -підсилювача до FM та телевізійних приймачів, адаптивність BFW10 у різних схемах робить його цінним вибором для пошуку надійної продуктивності в електронних системах.

Каталог

BFW10 N-канальний огляд JFET

Побудований з напівпровідникового матеріалу, BFW10-це універсальний транзистор JFET N-Channel JFET, призначений для ампліфікації та перемикання сигналів та потужності.Він підключається до зовнішніх ланцюгів через щонайменше три клеми і керує потоком струму шляхом регулювання напруги або струму між ними, посилюючи вхід на більший вихід.Робота N-канальних осей JFET на контролі потоку струму електричним полем.Тут термінал воріт відіграє головну роль, подібну до крана, що регулює потік електронів між джерелом та стоком, що дозволяє ефективно посилення сигналу транзистора.

Вирізати

BFW10 Максимальні рейтинги

Параметр	Символ	Цінність	Одиниця
Напруга зливного джерела	ВД	30	VDC
Напруга зливних воріт	VDG	30	VDC
Напруга зворотного воріт-джерела	VGSR	-30	VDC
Струм воріт вперед	IGF	10	шалений

Технічні характеристики

Тип	Параметр
Поверхневе кріплення	Ні
Робоча температура (макс.)	175 ° C
Отримати код відповідності	not_cempliant
Полярність/тип каналу	N-канал
Технологія FET	Перехрестя
Розсіювання потужності (ABS)	0,25 Вт
Статус ROHS	Нерозбудова

Характеристики

Означати	Специфікація
Позначення типу	BFW10
Тип транзистора	JFET
Тип каналу управління	N-канал
Максимальна розсіювання потужності (PD)	0,3 Вт
Максимальна напруга зливного джерела (VD)	30 В
Максимальна напруга джерела воріт (VGS)	30 В
Максимальний струм зливу (ідентифікатор)	0,01 a
Максимальна температура стику (TJ)	150 ° C
Максимальний опір на стані джерела (RDS)	500 Ом
Пакет	До-72

Заявки

BFW10 працює як високопристойний резистор напруги.Він використовується в підсилювах для регулювання посилення та частотної реакції, забезпечуючи бажаний вихід.У тонових контролістах він точно налаштовує аудіовинук, змінюючи рівні частоти, підвищуючи чіткість звуку та баланс.При включенні в логічні схеми, BFW10 є ключовим у управлінні шляхами сигналу та рівнями напруги, впливаючи на динаміку прийняття рішень схеми.

У системах FM та телевізійних приймачів BFW10 відіграє активну роль у змішувачах.Він поєднує сигнали по різних частотах, полегшуючи гладку демодуляцію та підвищення ясності сигналу.Цей компонент сприяє зменшенню перешкод, частої перешкоди в обробці сигналів.Ви часто можете залежати від його точності для збереження чіткої передачі, демонструючи широке розуміння електронних компонентних взаємодій.

Схеми ланцюга

Еквіваленти

• PTF10149

• RJK0234DNS

• SPP100N06S2-05

• SPB100N06S2-05

• ssm5n03fe

• STK0260D

• SWD5N65K

• VN10KLS

• BS170

• BFW11

• CS3N20ATH

• FHP3205

• FS10KM-12

• FS10KM-2

• FTP50N20R

• JCS12N65T

• JCS12N65CT

Використання транзисторів JFET

JFETS, або "транзистори польового ефекту", відіграють головну роль в електронних схемах, що цінували їх характерні властивості.На відміну від MOSFET, JFET не включає оксид воріт, що призводить до більш високого струму воріт.Ця функція забезпечує точні переваги в певних ситуаціях, зокрема, коли потрібні тонкі відмінності.Дизайн JFETS розроблений для завдань, які підкреслюють посилення низького шуму.Їх структура, позбавлена ​​оксиду воріт, полегшує конкретні переваги, піднімаючи їх у районах, що потребують спокійної роботи.

Ампліфікація з низьким рівнем шуму

У середовищах, де чутливість є центром продуктивності, JFETS світить за рахунок зменшення шуму 1/F, виклик часто присутній на низьких частотах.Їх придатність для точних інструментів та обробки аналогових сигналів добре визнана.Ви часто можете вибирати JFET для виняткової обробки шуму в аудіопостачанні та точних інструментах вимірювання.

Діючи як великі опори

Працюючи в режимі виснаження, JFET служать істотними резисторами, аналогічними їхнім колегам MOSFET.Їх роль у таких застосуванні, як аналогові вимикачі, які вимагають стабільного опору, визнається.Ця здатність знаходить практичне вираз у контрольованих напругою резисторів, що посилюють конструкції в аттенюаторах та змішувачах.

Розміри

Виробник

Texas Instruments, зі штаб -квартирою в Далласі, штат Техас, відіграє ключову роль у галузі напівпровідника та інтегрованої ланцюга.Жорстоко вкорінені в технологічних інноваціях, вони послідовно ведуть прогрес, перетворюючи наші взаємодії з електронними пристроями.Їх велика глобальна присутність пропонує різноманітний спектр компонентів, які знаходять корисність у безлічі додатків.

Помітною пропозицією від Texas Instruments є BFW10, що є прикладом їх відданості забезпеченню якості та надійності.Їх різноманітна лінійка продуктів демонструє здатність до вирішення складних вимог у різних секторах, таких як побутова електроніка та автомобільні системи.Ця еволюція продукту підкреслює не тільки технологічний розвиток, але й відчутні переваги підвищення продуктивності та ефективності.